產(chǎn)品中心
PRODUCTS CNTER當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心C系列-氣相沉積爐C系列氣相沉積爐
熱誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積 (英語:chemical vapor deposition ,CVD)是用于各種電介質(zhì),半導(dǎo)體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式,無論是單晶,多晶,無定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳,碳化硅,氮化硼。通過使用合成前體,涂層非常純凈并目滿足半導(dǎo)體工業(yè)的典型要求,根據(jù)工藝參數(shù),可以有多種層厚度。
產(chǎn)品分類
PRODUCT CLASSIFICATION相關(guān)文章
RELATED ARTICLES品牌 | HAOYUE/皓越 | 升溫速度(達到最高溫) | 1~10℃//min |
---|---|---|---|
內(nèi)部尺寸 | Φ1400x2000mm | 加熱方式 | 石墨電阻 |
最大功率 | 360kW | 控溫精度 | ±1℃ |
最高溫度 | 1600℃ | 價格區(qū)間 | 面議 |
儀器種類 | 真空爐 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,地礦,能源,電子,冶金 |
氣相沉積爐簡介
熱誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積 (英語:chemical vapor deposition ,CVD)是用于各種電介質(zhì),半導(dǎo)體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式,無論是單晶,多晶,無定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳,碳化硅,氮化硼。通過使用合成前體,涂層非常純凈并目滿足半導(dǎo)體工業(yè)的典型要求,根據(jù)工藝參數(shù),可以有多種層厚度,從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護層或功能層,以及厚度達100微米的單片部件,甚至高達數(shù)毫米。
熱誘導(dǎo)的化學(xué)氣相滲透(英語:chemical vaporinfiltration ,CVI)是一個與CVD有關(guān)的技術(shù),以在基體材料滲入多孔或纖維預(yù)成型件以制備由復(fù)合材料制成的部件具有改善的機械性能,耐腐蝕性,耐熱沖擊性和低殘余應(yīng)力。
技術(shù)特點:
采用立式、底/頂開門結(jié)構(gòu):裝、卸料精度高,操作方便;
采用先進的控制技術(shù),能精密控制MTS的流量和壓力,爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定,壓力波動范圍小;
溫度均勻性好:平均溫度均勻性為±5℃;
采用多通道沉積氣路,流場均勻,無沉積死角,沉積效果好;
全封閉沉積室,密封效果好,抗污染能力強;
安全性能好:采用HMI+PLC+PID壓力傳感控制,安全可靠;
對沉積產(chǎn)生的高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產(chǎn)物能進行有效處理;
多級高效尾氣處理系統(tǒng),環(huán)境友好,能高效收集焦油及副產(chǎn)物,易清理;
采用設(shè)計防腐蝕真空機組,持續(xù)工作時間長,維修率極低。
設(shè)備規(guī)格:
產(chǎn)品 | 產(chǎn)品型號 | 有效區(qū)尺寸(mm) | 冷態(tài)極限真空度(Pa) | 最高工作溫度(℃) | 適用工藝 |
C4VGR16 | VVCgr-56/60-1600 | Φ560x600 | 1 | 1600 | CVD/CVI |
C6VGR16 | VVCgr-84/90-1600 | Φ840x900 | 1 | 1600 | CVD/CVI |
C8VGR16 | VVCgr-110/120-1600 | Φ1100x1200 | 1 | 1600 | CVD/CVI |
C10VGR16 | VVCgr-140/200-1600 | Φ1400x2000 | 1 | 1600 | CVD/CVI |
Copyright © 2024上海皓越真空設(shè)備有限公司 All Rights Reserved 備案號:滬ICP備2022033023號-1
技術(shù)支持:化工儀器網(wǎng) 管理登錄 sitemap.xml 總訪問量:602908