PECVD系統(tǒng)主要由真空和壓力控制系統(tǒng)、淀積系統(tǒng)、氣體及流量控制、系統(tǒng)安全保護(hù)系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制等部分組成。該技術(shù)是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上（即樣品放置的托盤）產(chǎn)生輝光放電，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的工藝氣體，這些氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，最終在樣品表面形成固態(tài)薄膜。
工藝原理：
在反應(yīng)過程中，反應(yīng)氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入爐腔，逐漸擴(kuò)散至樣品表面，在射頻源激發(fā)的電場作用下，反應(yīng)氣體分解成電子、離子和活性基團(tuán)等。這些分解物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成形成膜的初始成分和副反應(yīng)物，這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態(tài)膜的晶核，晶核逐漸生長成島狀物，島狀物繼續(xù)生長成連續(xù)的薄膜。在薄膜生長過程中，各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。
薄膜制備工藝在超大規(guī)模集成電路技術(shù)中有著非常廣泛的應(yīng)用，按照其成膜方法可分為兩大類：物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積（CVD）。等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積（PECVD）是化學(xué)氣相淀積的一種，其淀積溫度低是它突出的優(yōu)點(diǎn)。PECVD淀積的薄膜具有優(yōu)良的電學(xué)性能、良好的襯底附著性以及臺階覆蓋性，正由于這些優(yōu)點(diǎn)使其在超大規(guī)模集成電路、光電器件、MEMS等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。
PECVD系統(tǒng)是一門復(fù)雜的工藝，要保證淀積薄膜的質(zhì)量，除了要保證設(shè)備的穩(wěn)定性外，還必須掌握和精通其工藝原理及影響薄膜質(zhì)量的各種因素，以便在出現(xiàn)故障時(shí)，能迅速分析出導(dǎo)致故障的原因。另外，對設(shè)備的日常維護(hù)和保養(yǎng)也非常重要。
時(shí)間：2024-11-15 點(diǎn)擊次數(shù)：1530
當(dāng)前位置：